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姓名:吴燕庆

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个人基本情况(主要受教育经历、主要工作经历)

    531

    华中科技大学教授,博导。2001.09-2005.07复旦大学微电子学系理学学士,2005. 08-2009.12美国普度大学电子与计算机工程系博士。长期从事半导体微纳电子器件与电路设计与制备,电学测量,微波测量与光电测量。在化合物半导体砷化镓,氮化镓及碳化硅,以及新材料石墨烯,二硫化钼等研究领域有广泛经验。曾经在国际知名期刊Nature, Science, Nature Nanotechnology, Nano Letters, ACS Nano, Proceedings of the IEEE,IEEE Electron Device Letter,国际顶级电子器件会议IEDM以及器件研究会议DRC等共发表50 多篇文章,包括第一作者Nature一篇与IEDM四篇。过去五年中文章被引用超过2500 次。在化合物半导体及石墨烯晶体管工作被包括Nature、Chemical & Engineering New、IEEE Spectrum 和Science Daily 等报道。曾获2007年国际半导体器件研讨会最佳学生报告奖,2009年度IBM全球博士生英才奖。2012年IBM专利申请发明成果奖。被邀在2010年美国材料学会春季会议, 2010年美国电化学会会议, 2010年国际磷化铟及相关材料国际会议,2011年材料学会春季会议,2012年日本半导体年会,2013年第八届中国功能材料及其应用学术会议,中国物理学会2013年秋季学术会议, 2013年纳米、表面和Graphene科学与技术全国会议,2014年第十二届固态和集成电路技术国际会议,以及2014年第一届国际层状材料学术会议上作特邀报告。已受理或授权美国专利4项。2012年入选第二批中组部“青年千人计划”,湖北省特聘专家。办公地址:华中科技大学东校区强磁场中心,E-mail:yqwu@mail.hust.edu.cn,电话:027-87792334-8118。

研究领域


学术兼职/承担的项目与课题


代表性成果(近年的教学和科研成果、专著与论文、专利、获奖)